“今朝，三星电子已经于其半导体研究所乐成完成400层NAND技能，并已经在上月最先将这项进步前辈技能转移到平泽园区一号工场的年夜范围出产线上。 今朝，三星电子已经于其半导体研究所乐成完成400层NAND技能，并已经在上月最先将这项进步前辈技能转移到平泽园区一号工场的年夜范围出产线上。报导称，三星电子规划在来岁2月于ISSCC上具体发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产估计将在来岁下半年最先。除了了400层NAND，三星电子来岁还有将增长其进步前辈产物线的产量。规划于平泽园区安装新的第9代（286层）出产举措措施，每个月产能为3万-4万片晶圆。此外，三星西安工场将继承将128层（V6）NAND出产线转换为236层（V8）产物工艺。
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